米兰体育官网:晶合集成请求图画传感器制作办法专利构成顶部被填充介质层掩盖的气隙

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  国家知识产权局信息数据显现，合肥晶合集成电路股份有限公司请求一项名为“一种图画传感器的制作办法及图画传感器”的专利，公开号CN121335247A，请求日期为2025年12月。

  专利摘要显现，本请求公开了一种图画传感器的制作办法及图画传感器，图画传感器的制作办法有：构成深沟槽阻隔结构；在半导体衬底的榜首标明发生介质层，而且构成从介质层表面向其内部延伸的榜首沟槽，榜首沟槽和深沟槽阻隔结构相对；至少在榜首沟槽的侧壁构成基底半导体层，其间，基底半导体层暴露出榜首沟槽的底部；以基底半导体层为掩模，构成从榜首沟槽的底部持续向介质层内部延伸的第二沟槽；基底半导体层胀大氧化，构成彻底填充榜首沟槽的填充介质层，第二沟槽构成顶部被填充介质层掩盖的气隙；以及构成空气格栅结构，其间空气格栅结构包含介质层，介质层内部的气隙、以及掩盖气隙顶部的填充介质层，所述介质层环绕所述气隙以及所述填充介质层。

  天眼查资料显现，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，坐落合肥市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。经过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外出资了10家企业，参加招投标项目636次，产业线条，此外企业还具有行政许可22个。

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